參數(shù)資料
型號(hào): 2SD2209P
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 4 A, 115 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: IPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 175K
代理商: 2SD2209P
3
Power Transistors
2SD2209
Rth(t) —t
10–3
102
10–2
1
10–1
10
103
104
0.1
1
10
100
1000
Note: R
th was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) Without heat sink
(2) With a 50
× 50 × 2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(t)
(C/W
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2213 SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2213 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD2215AQ 0.75 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2215AP 0.75 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2215P 0.75 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD221 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Transistor
2SD2210 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SD22100RL 功能描述:TRANS NPN LF 20VCEO .5A MINI-PWR RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2210R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62
2SD2210S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62