參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2240
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type
中文描述： 50 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： 2SD2240
1
Transistor
2SD2240, 2SD2240A
Silicon NPN epitaxial planer type
For high breakdown voltage low-frequency and low-noise
amplification
I
Features
G
High collector to emitter voltage V
CEO
.
G
Low noise voltage NV.
G
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to
base voltage
Collector to
emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC–75
SS–Mini Type Package
1.6
±
0.15
1
±
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
0
0
0
0.8
±
0.1
0.4
0.4
0
+
–
0
+
–
1
2
3
0.2
±
0.1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
150
185
150
185
5
100
50
125
125
–55 ~ +125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
2SD2240
2SD2240A
2SD2240
2SD2240A
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to emitter
voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Noise voltage
Symbol
I
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE*
V
CE(sat)
f
T
C
ob
NV
Conditions
V
CB
= 100V, I
E
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA
I
C
= 30mA, I
B
= 3mA
V
CB
= 10V, I
E
= –10mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 1mA, G
V
= 80dB
R
g
= 100k
, Function = FLAT
min
150
185
5
130
typ
150
2.3
150
max
1
330
1
Unit
μ
A
V
V
V
MHz
pF
mV
2SD2240
2SD2240A
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
R
S
h
FE
130 ~ 220
185 ~ 330
2SD2240
PR
PS
2SD2240A
LR
LS
Marking
Symbol
Marking symbol :
P
(2SD2240)
L
(2SD2240A)
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PDF描述
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