參數(shù)資料
型號(hào): 2SD2342C
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 29K
代理商: 2SD2342C
2SD2342
60
40
20
0
50
100
150
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Maximum Collector Dissipation Curve
Case temperature TC (°C)
IC max
(Continuous)
20
10
5
2
1.0
0.5
0.2
0.1
0.5 1.0
2
5
10 20
50 100
DC
Operation
P
C =
50
W,
(T
C =
25
°C)
(80 V, 0.2 A)
Collector
current
I
C
(A)
Area of Safe Operation
Collector to emitter voltage VCE (V)
5
4
3
2
1
0
TC = 25°C
Collector
current
I
C
(A)
510
IB = 10 mA
20
30
40
90 80 70 60
100
50
Collector to emitter voltage VCE (V)
Typical Output Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2342 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2353 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2367 3 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2334 5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2368 3.5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2343 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2345GSL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2345JSL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2351T106 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD2351T106V 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2