參數(shù)資料
型號: 2SD2414(SM)
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: 2-10S2, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大?。?/td> 141K
代理商: 2SD2414(SM)
2SD2414(SM)
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SD2414(SM)
High Current Switching Applications
Power Amplifier Applications
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (at IC = 4 A)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
7
A
Base current
IB
1
A
Ta = 25°C
1.5
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
40
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-10S2
Weight: 1.4 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2422 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
2SD2462 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2466AP 10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2485 SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2488 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2414-SM(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SD2420AP 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 4A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2425-T1-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,60V,5.0A,MP-2 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 5A 4-Pin(3+Tab) MP-2 T/R
2SD2425-T1-AZ-AB2 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SD2436 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR