參數(shù)資料
型號(hào): 2SD2651
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92(1), 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/8頁(yè)
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代理商: 2SD2651
2SD2651
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 3 of 5
Main Characteristics
150
100
50
Ambient Temperature Ta (
°C)
0
1.5
0.5
1.0
Maximum Collector Dissipation Curve
Collector
Dissipation
P
C
(W)
Typical Output Characteristics
Collector
Current
I
C
(mA)
0
20406080
100
Collector to emitter voltage VCE (V)
10
8
6
4
2
Pulse Test
IB = 10 A
20
A
30
A
40
A
50
A
80
A
100
A
60
A
Typical Transfer Characteristics
Collector
Current
I
C
(mA)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
100
10
1.0
0.1
0.01
VCE = 6 V
Pulse Test
-25
°C
25
°C
Ta = 75
°C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current IC (mA)
0.1
1.0
10
100
1
10
100
1,000
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
VCE = 6 V
Pulse Test
–25
°C
25
°C
Ta = 75
°C
Collector to Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
Collector Current IC (mA)
Collector
to
Emitter
saturation
Voltage
V
CE
(sat)
(V)
0.1
1.0
10
100
0.01
0.1
1.0
10
IC/IB = 10
Pulse Test
–25
°C
25
°C
Ta = 75
°C
Gain Bandwidh Product vs.
Collector Current
Collector Current IC (mA)
0.1
1.0
10
100
1
10
100
1,000
Gain
Bandwidh
Product
f
T
(MHz)
VCE = 6 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SD2653KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2653TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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