參數(shù)資料
型號： 2SD2651
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92(1), 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 91K
代理商： 2SD2651
2SK3081
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6
Pulse Width
PW (S)
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γ s
(t)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Source to Drain Voltage
VSD (V)
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
DM
P
PW
T
D =
PW
T
ch – c(t) = s (t)
ch – c
ch – c = 1.67
°C/W, Tc = 25°C
θ
γ
θ
Tc = 25
°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot
pulse
100
80
60
40
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Pulse Test
VGS = 0, –5 V
5 V
10 V
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
10 V
RL
VDD
= 30 V
tr
td(on)
Vin
90%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
50
90%
10%
tf
Switching Time Test Circuit
Waveform
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2672TL 4000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2687STP 5000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2719 800 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD313G-E-TA3-T 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD313L-C-TF3-T 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SD2653KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2653TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2654TLV 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2654TLW 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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