參數(shù)資料
型號： 2SD2695
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor)
中文描述： npn型硅外延式（達林頓功率晶體管）
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： 2SD2695
2SD2695
2006-11-21
3
Ta = 100°C
25
55
Common emitter
VCE = 2 V
Collector current I
C
(A)
V
CE (sat)
– I
C
C
V
C
(
Base-emitter voltage V
BE
(V)
I
C
– V
BE
C
C
Collector current I
C
(A)
V
BE (sat)
– I
C
B
V
B
Ta =
55°C
100
25
Common emitter
IC/IB = 1000
Ambient temperature Ta (°C)
P
C
– Ta
C
C
1.0
2.0
0.5
1.5
0
0
80
120
40
200
160
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Common emitter
Ta = 25°C
IB = 170
μ
A
180
250
500
200
PC = 0.9 W
Common emitter
IC/IB = 1000
Ta =
55°C
25
100
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
h
FE
– I
C
Collector current I
C
(A)
D
F
10000
0
0.4
1.6
2.0
1.2
0.8
0
2
8
10
6
0.1
10
0.1
10
1
0
0.4
1.6
2.0
1.2
4
0.8
1
0
0.8
3.2
4
2.4
1.6
Common emitter
VCE = 2 V
Ta = 100°C
55
25
1
10
0.1
10
1
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