參數(shù)資料
型號： 2SD2695
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor)
中文描述： npn型硅外延式（達林頓功率晶體管）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： 2SD2695
2SD2695
2006-11-21
4
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Safe Operating Area
C
C
1
10
0.01
0.1
5
0.05
0.1
0.3
0.5
1
*: Single nonrepetitive pulse
Ta = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
VCEO max
1 ms*
10 ms*
100
μ
s*
DC operation
Ta = 25°C
100
0.3
3
3
50
30
0.03
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2SD2695(T6CNO,A,F) 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1
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