- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄351958 > 2SD362 TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-66 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD362 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-66 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 100V的五（巴西）總裁| 8A條一（c）|至66 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SD362 |
2SC458 (LG), 2SC2310
7
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
1
Noise
Figure
NF
(dB)
Noise Figure vs. Collector to Emitter Voltage
8
6
4
2
0
30
20
10
5
2
IC = 0.1 mA
Rg = 500
f = 120 Hz
h Parameter vs. Collector Current
Percentage
of
Relative
to
I
C
=
0.1mA
100
50
20
10
5
2
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Collector Current IC (mA)
0.010.02 0.05 0.1 0.2
2
5
0.5 1.0
10
VCE = 6 V
f = 270 Hz
hre
hie
hoe
hfe
hie
hoe
hre
hfe
h Parameter vs. Collector to
Emitter Voltage
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
20
10
5
2
1.0
0.5
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
Percentage
of
Relative
to
V
CE
=
5V
IC = 0.1 mA
f = 270 Hz
hoe
hre
hoe
hfe
hie
hfe
hie
hre
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD545D | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-92 |
| 2SD545F | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-92 |
| 2SD602AQ | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB |
| 2SD602AR | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB |
| 2SD602AS | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD363 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistor |
| 2SD365 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220 |
| 2SD366 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220 |
| 2SD371 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SD377 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 450V 10A 100W BEC |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。