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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD620 |
| 廠商： | Panasonic Corporation |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | 2SD620 |
2
Silicon MOS FETs (Small Signal)
P
D
Ta
I
D
V
DS
| Y
fs
|
V
GS
C
iss
, C
oss
, C
rss
V
DS
I
D
V
GS
R
DS(on)
V
GS
V
IN
I
O
2SK620
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C)
A
D
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
12
10
8
2
6
4
0
120
100
80
60
40
20
V
GS
=6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
3.5V
2.5V
3.0V
4.0V
Ta=25C
D
D
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
12
10
8
2
6
4
0
60
50
40
30
20
10
V
=5V
Ta=25C
F
f
|
1
Drain to source voltage V
DS
(V)
3
10
30
100
0
12
10
8
6
4
2
V
=0
f=1MHz
Ta=25C
C
iss
C
oss
C
rss
I
R
i
,
o
,
r
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
12
10
8
2
6
4
0
120
100
80
60
40
20
Ta=–25C
25C
75C
V
=5V
Ta=25C
D
D
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
12
10
8
2
6
4
0
120
100
80
60
40
20
I
D
=20mA
Ta=75C
25C
–25C
D
D
)
0.1
1
10
100
0.3
Output current I
O
(mA)
3
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
V
=5V
Ta=25C
I
I
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK620 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SD621 | For H-Deflection Output with High Voltage |
| 2SD627 | 2SD627 |
| 2SD637 | Silicon NPN epitaxial planer type |
| 2SD638 | Silicon NPN epitaxial planer type(For medium-power general amplification) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD621 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:For H-Deflection Output with High Voltage |
| 2SD627 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:2SD627 |
| 2SD628 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| 2SD633 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS) |
| 2SD634 | 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(7A,40W) |
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