參數(shù)資料
型號： 2SJ161
文件頁數(shù)： 2/8頁
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代理商： 2SJ161
2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
2
Outline
D
G
S
1
2
3
TO-3P
1. Gate
2. Source
(Flange)
3. Drain
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
2SJ160
V
DSX
–120
V
2SJ161
–140
2SJ162
–160
Gate to source voltage
V
GSS
±15
V
Drain current
I
D
–7
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
–7
A
Channel dissipation
Pch*
1
100
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C
相關PDF資料
PDF描述
2SJ162
2SJ181(L)
2SJ181(S)
2SJ319(L)
2SJ319(S)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ161(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SJ161-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
2SJ162 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ162-E 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ163 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Switching
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