參數(shù)資料
型號(hào): 2SJ161
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 38K
代理商: 2SJ161
2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
7
Package Dimensions
φ3.2
± 0.2
4.8
± 0.2
1.5
0.3
2.8
0.6
± 0.2
1.0
± 0.2
18.0
±0.5
19.9
±0.2
15.6
± 0.3
0.5
1.0
5.0
±0.3
1.6
1.4 Max
2.0
14.9
±0.2
3.6
0.9
1.0
5.45
± 0.5
5.45
± 0.5
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value)
TO-3P
Conforms
5.0 g
As of January, 2001
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ162
2SJ181(L)
2SJ181(S)
2SJ319(L)
2SJ319(S)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ161(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SJ161-E 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
2SJ162 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ162-E 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ163 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Switching