參數(shù)資料
型號(hào): 2SJ181(S)
文件頁(yè)數(shù): 8/11頁(yè)
文件大?。?/td> 49K
代理商: 2SJ181(S)
2SJ181(L), 2SJ181(S)
6
0
–200
–400
–600
–800
0
Gate Charge
Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
(V)
DS
0
–4
–8
–12
–16
–20
–1000
Gate
to
Source
Voltage
V
(V)
GS
Dynamic Input Characteristics
4
8
12
16
20
DS
V
GS
V
I
= –0.5 A
D
V
= –100 V
–250 V
–400 V
DD
V
= –100 V
–250 V
–400 V
DD
500
200
100
50
20
10
5
Drain Current
I
(A)
D
Switching
Time
t
(ns)
Switching Characteristics
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
t f
r
t
d(off)
t
d(on)
t
V
= –10 V, V
= –30 V
PW = 5 s, duty < 1 %
GS
DD
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SJ181STR-E 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SJ182 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET
2SJ182(L) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251VAR
2SJ182(S) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR