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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ319(L) |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | 2SJ319(L) |
2SJ319(L), 2SJ319(S)
6
–5
–4
–3
–2
–1
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
Source to Drain Voltage
V
(V)
SD
Pulse Test
–10 V
V
= 0, 5 V
GS
Reverse
Drain
Current
I
(A)
DR
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
Pulse Width
PW (S)
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
100 m
1
10
s
(t)
γ
DM
P
PW
T
D =
PW
T
ch – c(t) = s (t)
ch – c
ch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C
θ
γ
θ
D = 1
0.5
0.2
0.01
0.02
0.1
0.05
1 shot
Pulse
Tc = 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ319(S) | |
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| 2SJ352 | |
| 2SJ387(L) | |
| 2SJ387(S) | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ319L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ319L-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 200V 3A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(1) |
| 2SJ319S | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ319S-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 200V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S) |
| 2SJ319STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
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