型號: | 2SJ659-TL |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 14 A, 60 V, 0.206 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | SMP-FD, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 53K |
代理商: | 2SJ659-TL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SJ665 | 27 A, 100 V, 0.105 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SJ665 | 27 A, 100 V, 0.105 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SJ76-E | 0.5 A, 140 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SJ660 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
2SJ661 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
2SJ661_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
2SJ661-1E | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):38A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):39 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
2SJ661-DL-1E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel |