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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1109 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM |
| 中文描述： | N溝道硅片結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的阻抗流腦轉(zhuǎn)爐 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | 2SK1109 |
Data Sheet D15940EJ1V0DS
2
2SK1109
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Cut-off Current
I
DSS
V
DS
= 5.0
V, V
GS
= 0
V
40
600
μ
A
Gate Cut-off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 5.0
V, I
D
= 1.0
μ
A
0.1
1.0
V
Forward Transfer Admittance
| y
fs1
|
V
DS
= 5.0
V, I
D
= 30
μ
A, f = 1.0 kHz
350
μ
S
Forward Transfer Admittance
| y
fs2
|
V
DS
= 5.0
V, V
GS
= 0
V, f = 1.0 kHz
350
μ
S
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 5.0
V, V
GS
= 0
V, f = 1.0 MHz
7.0
8.0
pF
Noise Voltage
NV
See Test Circuit
1.8
3.0
μ
V
I
DSS
RANK
MARKING
J32
J33
J34
J35
J36
J37
I
DSS
(
μ
A)
40 to 70
60 to 110
90 to 180
150 to 300
200 to 450
300 to 600
NOISE VOLTAGE TEST CIRCUIT
NV (r.m.s)
R = 1 k
C = 10 pF
+4.5 V
JIS A
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