參數(shù)資料
型號: 2SK1109
廠商: NEC Corp.
英文描述: N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM
中文描述: N溝道硅片結(jié)型場效應(yīng)晶體管的阻抗流腦轉(zhuǎn)爐
文件頁數(shù): 4/8頁
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代理商: 2SK1109
Data Sheet D15940EJ1V0DS
4
2SK1109
RANK: J32
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100
150
200
250
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
50
0
10
0
2
4
6
8
0.05 V
0.10 V
0.15 V
0.10 V
0.05 V
V
GS
= 0 V
0.15 V
μ
RANK: J33
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
120
180
240
300
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
60
0
10
0
2
4
6
8
0.05 V
0.10 V
0.15 V
0.10 V
0.05 V
V
GS
= 0 V
0.15 V
μ
RANK: J34
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
160
240
320
400
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
80
0
10
0
2
4
6
8
0.05 V
0.10 V
0.15 V
0.10 V
0.05 V
V
GS
= 0 V
0.15 V
μ
RANK: J35
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
200
300
400
500
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
100
0
10
0
2
4
6
8
0.05 V
0.15 V
0.10 V
0.05 V
0.10 V
0.15 V
μ
V
GS
= 0 V
RANK: J36
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
280
420
560
700
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
140
0
10
0
2
4
6
8
0.05 V
0.10 V
0.15 V
0.15 V
0.10 V
0.05 V
V
GS
= 0 V
μ
μ
I
D
RANK: J37
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
360
540
720
900
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
180
0
10
0
2
4
6
8
0.05 V
0.10 V
0.15 V
0.10 V
0.05 V
V
GS
= 0 V
0.15 V
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