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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1299(L) |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 0.45 ohm, POWER, FET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2SK1299(L) |
2SK1299(L), 2SK1299(S)
6
500
200
100
50
20
10
5
0.1
0.2
1
10
Reverse Drain Current IDR (A)
2
0.5
5
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(ns)
di/dt = 50 A/
s
VGS = 0, Ta = 25°C
Pulse Test
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
1000
100
10
1
Capacitance
C
(pF)
010
20
50
Drain to Source Voltage VDS (V)
30
40
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
200
160
120
80
40
08
24
32
Gate Charge Qg (nc)
16
20
16
12
8
4
Dynamic Input Characteristics
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
Gate
to
Source
Voltage
V
GS
(V)
40
0
VDS
VGS
VDD = 80 V
50 V
25 V
ID = 3 A
VDD = 25 V
50 V
80 V
Switching Characteristics
500
200
100
50
10
5
0.1
0.2
1
10
Drain Current ID (A)
2
0.5
5
Switching
Time
t
(ns)
20
td (off)
VGS = 10 V, VDD
PW = 2
s, duty < 0.1 %
td (on)
tf
tr
=
.
. 30 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1299(S) | 0.45 ohm, POWER, FET |
| 2SK1302-E | 20 A, 100 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1303-E | 30 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1303 | 30 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1304 | 40 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1299S | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1300 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1300-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| 2SK1301 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1301(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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