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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1306-E |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 15 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | SC-67, TO-220FM, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | 2SK1306-E |
2SK1306
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6
20
16
12
8
4
00.4
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
0.8
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Pulse Test
VGS = 0, –5 V
10 V
5 V
Vin Monitor
Vout Monitor
RL
50
Vin = 10 V
D.U.T
.
VDD = 30 V
.
Switching Time Test Circuit
Vin
10 %
90 %
10 %
td(on)
td(off)
tr
tf
Vout
10 %
Waveforms
3
Pulse Width PW (S)
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γ S
(t)
1.0
0.1
0.3
D = 1
10
0.03
0.01
100
10 m
100 m
1
10
1 m
TC = 25°C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 Shot
Pulse
T
PW
PDM
D =
T
PW
θch–c (t) = γ
S (t) θch–c
θch–c = 4.17°C/W, T
C = 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1306 | 15 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1310A | 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 2SK1314L | 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1313S | 5 A, 450 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1314S | 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1307 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1307-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1308 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-221VAR |
| 2SK1308A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-221VAR |
| 2SK1310 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOS TYPE (RF POWER MOS FET for VHF TV BROADCAST TRANSMITTER) |
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