參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1530-Y
元件分類： JFETs
英文描述： 12 A, 200 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 2-21F1B, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： 2SK1530-Y
Data Sheet D11706EJ2V0DS00
4
2SK2858
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
ID - Drain Current - A
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
0
2
8
4
6
10
VGS = 10 V
TA = 125C
75C
25C
0
10
20
30
48
12
16
20
R
DS
(on)
-Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
VGS - Gate to Source Voltage - V
ID = 1 mA
10 mA
100 mA
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
1
10
0.01
0.1
100
10
100
1
0.1
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
C
iss
,C
oss
,C
rss
-
Capacitance
-
pF
VDS - Drain to Source Voltage - V
Ciss
Coss
Crss
f = 1 MHz
VGS = 0 V
0.1
1
10
ID - Drain Current - A
td
(on)
,tr,
td
(off)
,tf
-
Swwitchig
Time
-
ns
1000
SWITCHING CHARACTERISTICS
VDD = 3 V
VGS(on) = 4V
RG = 10
100
10
td(off)
td(on)
tf
tr
0.0001
0.001
0.01
1
0.1
0.6
0.4
0.8
1.0
1.2
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
IF
-
S
o
u
rc
e
to
D
ra
in
C
u
rr
e
n
t
-
A
VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V
5
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SK1530-Y(F) 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH 200V 12A TO-3PL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK1530-YF 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:High-Power Amplifier Application
2SK1531 制造商:Toshiba 功能描述:Cut Tape 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SK1532 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
2SK1533 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:HVX Series Power MOSFET
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