參數(shù)資料
型號： 2SK1666
元件分類： JFETs
英文描述： 0.035 ohm, POWER, FET
封裝： TO-3PFM, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 45K
代理商： 2SK1666
2SK1666
5
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
V
DS
(on)
(V)
02
10
6
48
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
ID = 10 A
Pulse Test
30 A
20 A
0.5
10
200
Drain Current ID (A)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
0.2
0.01
5
20
100
2
0.05
0.1
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
0.02
0.005
50
VGS = 10 V
VGS = 4 V
Pulse Test
0.1
40
160
Case Temperature TC (°C)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
D
S
(on)
(
)
0.08
0.02
0
80
120
0
0.04
0.06
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
ID = 30 A
20 A
10 A
30 A
10 A, 20 A
VGS = 4 V
VGS = 10 V
Pulse Test
–40
Ta = –25
°C
Pulse Test
VDS = 10 V
25
°C
75
°C
100
120
50
Drain Current ID (A)
Forward
Transfer
Admittance
yfs
(S)
20
50
2
0.5
2
10
5
10
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
1
5
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