參數資料
型號： 2SK1806E
英文描述： Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述： 晶體管|場效應| N溝道| 30V的五（巴西）直| 2.5mA的我（直）|計劃生育
文件頁數： 1/6頁
文件大小： 32K
代理商： 2SK1806E
2SK1831, 2SK1832
Silicon N-Channel MOS FET
ADE-208-1324 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
No secondary breakdown
Suitable for switchingregulator, DC-DC converter
Outline
TO-3PFM
1. Gate
2. Drain
3. Source
D
G
S
1
2
3
相關PDF資料
PDF描述
2SK1810 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220
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2SK1816S Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
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