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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2202 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 7 A, 120 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220FM, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | 2SK2202 |
Data Sheet D14650EJ2V0DS
3
2SJ605
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
Tch - Channel Temperature - C
dT
-
Percentage
of
Rated
Power
-
%
040
20
60
100
140
80
120
160
100
80
60
40
20
0
TC - Case Temperature - C
P
T
-Total
Power
Dissipation
-
W
0
80
20
40
60
100
140
120
160
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
120
100
80
60
40
20
0
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
–1
–0.1
–10
–100
–1000
–1
–10
–100
TC = 25C
Single Pulse
PW
=
10
s
100
s
1 ms
10
ms
DC
Power
Dissipation
Limited
R
DS(on)
Limited
ID(DC)
ID(pulse)
PW - Pulse Width - s
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
rth(t)
-
Transient
Thermal
Resistance
-
C
/W
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
Single Pulse
10
100
Rth(ch-C) = 1.25C/W
Rth(ch-A) = 83.3C/W
!
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2203 | 0.013 ohm, POWER, FET |
| 2SK2233 | 45 A, 60 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK223D | 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK223F | 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK223E | 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2202-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK2203 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2204(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-262AA |
| 2SK2204(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB |
| 2SK2204L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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