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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2322L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | 2SK2322L |
2SK2322(L), 2SK2322(S)
5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
2
4
6
8
10
Pulse Test
I = 10 A
5 A
2 A
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1
Pulse Test
1
2
5
10
20
50
100
0.2
0.5
0.1
0.02
0.01
0.05
V = 2.5 V
10 V
4 V
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
Pulse Test
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
V = 2.5 V
2 A, 5 A, 10 A
10 V
I = 5 A
2 A
2 A, 5 A, 10 A
4 V
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
50
20
10
2
5
1
0.5
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
25 °C
Tc = –25 °C
75 °C
V = 10 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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