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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2329L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 47K |
| 代理商： | 2SK2329L |
2SK2329(L), 2SK2329(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
30
V
Gate to source voltage
±
10
V
Drain current
10
A
Drain peak current
40
A
Body to drain diode reverse drain current
10
A
Channel dissipation
20
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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