參數(shù)資料
型號(hào): 2SK2329L
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商: 2SK2329L
2SK2329(L), 2SK2329(S)
5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
2
4
6
8
10
Pulse Test
I = 10 A
2 A
5 A
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100
V = 2.5 V
4 V
Pulse Test
0.2
0.5
0.1
0.02
0.05
0.01
0.10
0.08
D
0.06
0.04
0.02
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
S
Pulse Test
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
I = 2 A, 5 A, 10 A
V = 4 V
2.5 V
2 A, 5 A, 10 A
0.1
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
0.3
1
3
10
30
100
50
20
10
2
5
1
0.5
25 °C
75 °C
Tc = –25 °C
V = 10 V
Pulse Test
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