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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2554 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | 2SK2554 |
2SK2554
5
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Pulse Test
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
2
4
6
8
10
I = 50 A
20 A
10 A
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
0.5
1
10
100
1000
3
30
300
0.2
0.1
0.02
0.05
0.01
0.002
0.005
0.001
0.0005
Pulse Test
V = 4 V
10 V
0.02
0.016
0.012
0.008
0.004
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
Pulse Test
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
I = 50 A
D
V = 4 V
10 V
10, 20 A
10, 20, 50 A
0.1
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
0.3
1
3
10
30
100
V = 10 V
Pulse Test
500
100
200
20
10
50
2
5
1
0.5
25 °C
Tc = –25 °C
75 °C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2568 | Silicon N-Channel MOS FET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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