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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2554 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | 2SK2554 |
2SK2554
6
Reverse Drain Current I (A)
R
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
0.1
0.3
1
3
10
30
100
500
200
100
20
50
10
5
di / dt = 50 A /
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
0
10
20
30
40
50
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
100000
30000
10000
3000
1000
300
100
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
100
80
60
40
20
0
Gate Charge Qg (nc)
D
D
20
16
12
8
4
G
G
80
160
240
320
400
Dynamic Input Characteristics
0
V = 10 V
25 V
50 V
I = 75 A
V
GS
V
DS
V = 50 V
25 V
10 V
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
0.1
0.3
1
3
10
30
100
10000
3000
1000
300
100
30
10
V = 10 V, V = 30 V
PW = 5 μs, duty < 1 %
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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