參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2593
廠(chǎng)商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon N-Channel Junction FET
中文描述： 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝： SC-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 33K
代理商： 2SK2593
1
Silicon Junction FETs (Small Signal)
2SK2593
Silicon N-Channel J unction FET
unit: mm
For low-frequency amplification
For switching
I
Features
G
Low noies, high gain
G
High gate to drain voltage V
GDO
G
Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic
insertion through the tape/magazine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain to Source voltage
Gate to Drain voltage
Gate to Source voltage
Drain current
Gate current
Allowable power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
DSX
V
GDO
V
GSO
I
D
I
G
P
D
T
j
T
stg
Ratings
55
55
55
±30
10
125
125
55 to +125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
I
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain to Source cut-off current
Gate to Source leakage current
Gate to Drain voltage
Gate to Source cut-off voltage
Forward transfer admittance
Input capacitance (Common Source)
Reverse transfer capacitance (Common Source)
Noise figure
Symbol
I
DSS*
I
GSS
V
GDS
V
GSC
| Y
fs
|
C
iss
C
rss
NF
Conditions
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
GS
=
30V, V
DS
= 0
I
G
=
100
μ
A, V
DS
= 0
V
DS
= 10V, I
D
= 10
μ
A
V
DS
= 10V, I
D
= 5mA, f = 1kHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, f = 1MHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, R
g
= 100k
f = 100Hz
min
1
55
2.5
max
20
10
5
Unit
mA
nA
V
V
mS
pF
pF
dB
typ
80
7.5
6.5
1.9
2.5
Marking Symbol (Example): 2B
*
I
DSS
rank classification
Runk
I
DSS
(mA)
Marking Symbol
P
1 to 3
2BP
Q
2 to 6.5
2BQ
R
5 to 12
2BR
1: Source
2: Drain
3: Gate
EIAJ: SC-75
SS-Mini Type Package (3-pin)
1.6±0.15
1
1
0
0
0
0
0
0
0.8±0.1
0.4
0.4
0
+
–
0
+
–
1
2
3
0.2±0.1
S
10 to 20
2BS
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PDF描述
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