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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2607 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 元件分類： | DC/DC變換器 |
| 英文描述： | N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS) |
| 中文描述： | N通道馬鞍山型（高速，高壓開關(guān)，斬波調(diào)壓器，DC - DC變換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 290K |
| 代理商： | 2SK2607 |
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SK2607(F,T) | 功能描述:MOSFET N-Ch FET RDS 1.0 Ohm IDSS 100uA VDS 640V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK2607 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N TO-3P |
| 2SK2608(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 3A 4.3@10V TO220AB Bulk |
| 2SK2610 | 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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