- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371547 > 2SK2614 (Toshiba Corporation) High Speed,High Current Switching Application N Channel MOSFET(高速大電流轉(zhuǎn)換用 N溝道 MOS場效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2614 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | High Speed,High Current Switching Application N Channel MOSFET(高速大電流轉(zhuǎn)換用 N溝道 MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 高速，大電流開關(guān)應(yīng)用N溝道MOSFET（高速大電流轉(zhuǎn)換用?溝道馬鞍山場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | 2SK2614 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2615 | High Speed,High Current Switching Application N Channel MOSFET(高速大電流轉(zhuǎn)換用 N溝道 MOS場效應(yīng)管) |
| 2SK2616 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2618LS | N- Channel MOS Silicon FET Very High-Speed Switching Applications |
| 2SK2638-01MR | TRANS PREBIASED PNP 200MW SOT-23 |
| 2SK2639-01 | N-channel MOS-FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2614(Q) | 功能描述:MOSFET N-Ch 50V 20A Rdson 0.046 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK2614(TE16L1) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 20A 3-Pin(2+Tab) Case DP T/R |
| 2SK2614(TE16L1,Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 20A 3-Pin(2+Tab) Case DP T/R 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 20A 3-Pin (2+Tab) DP T/R Cut Tape 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 50V 20A DP |
| 2SK2614TE16L1 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 50V 20A 3PIN DP - Rail/Tube |
| 2SK2615(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 60V 2A 0.3@10V PW-Mini(4.6 x 4.2) Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini |
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