參數(shù)資料
型號: 2SK2624FG
元件分類: JFETs
英文描述: 3.5 A, 600 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220F-3SG, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大小: 320K
代理商: 2SK2624FG
2SK2624FG
No. A1321-2/6
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
ID=10mA, VGS=0V
600
V
Zero-Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS=480V, VGS=0V
1.0
mA
Gate-to-Source Leakage Current
IGSS
VGS=±30V, VDS=0V
±100
nA
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=10V, ID=1mA
3.5
5.5
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=10V, ID=1.8A
1.0
2.0
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)
ID=1.8A, VGS=15V
2.0
2.6
Ω
Input Capacitance
Ciss
VDS=20V, f=1MHz
550
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
165
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
85
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
17
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
17
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
40
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
22
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=200V, VGS=10V, ID=3A
15
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=3A, VGS=0V
0.98
1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7529-001
PW=1μs
D.C.≤1%
P.G
RGS
50Ω
G
S
ID=1.8A
RL=111Ω
VDD=200V
VGS=15V
VOUT
2SK2624FG
D
50Ω
≥50Ω
RG
VDD
L
15V
0V
2SK2624FG
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-220F-3SG
10.16
0.8
15.87
12.98
3.3
6.68
3.23
1.47 MAX
15.8
4.7
2.54
2.76
12
3
0.5
2.54
3.18
(
1.0)
(0.84)
DETAIL-A
A
EMC
FRAME
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2643-01 15 A, 500 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P
2SK2648-01 9 A, 800 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P
2SK2768-01S 3.5 A, 900 V, 5.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2758-01L 10 A, 500 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2873-01 8 A, 450 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2625ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2628ALS 制造商:SANYO 功能描述:MOSFET,N CH,600V,7A,TO-220FI Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFETN CH600V7ATO-220FI
2SK2631-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 800V 1A 10@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 800V 1A TO251 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SK2632LS 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2638-01MRSC 制造商:Fuji Electric 功能描述: