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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2912S-E |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | LDPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/14頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2SK2912S-E |
2SK2912(L), 2SK2912(S)
9
Package Dimensions
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value)
LDPAK (L)
—
1.4 g
10.2
± 0.3
0.86
0.76
± 0.1
2.54
± 0.5
2.54
± 0.5
+ 0.2
– 0.1
1.2
± 0.2
4.44
± 0.2
1.3
± 0.15
2.59
± 0.2
0.4
± 0.1
11.0
±0.5
8.6
±0.3
10.0
11.3
±0.5
+
0.3
–
0.5
(1.4)
1.27
± 0.2
As of January, 2001
Unit: mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2912S | 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2912STL-E | 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK291PRF | 50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK291TRF | 50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK291QRR | 50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2914 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 250V 7.5A 3PIN TO-220 - Rail/Tube |
| 2SK2914(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 250V 7.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 250V 7.5A TO-220AB |
| 2SK2915 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2915(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bulk |
| 2SK2915(Q,T) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 600V 16A Rdson 0.4 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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