參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK303V2
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 150K
代理商： 2SK303V2
UTC2SK303
JFET
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
2
QW-R206-071,A
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
0
Drain-to-Source Voltage, VDS (V)
5.0
Drai
nCurrent
,I
D
(m
A
)
1.0
2.0
3.0
4.0
VGS =0
ID - VDS
-0.1V
-0.2V
-0.3V
-0.4V
1.0
0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
Drain-to-Source Voltage, VDS (V)
5
Drai
nCurrent
,I
D
(m
A
)
1
2
3
4
VGS =0
ID - VDS
-0.1V
-0.2V
-0.3V
-0.4V
5
0
10
15
25
30
20
0
Gate-to-Source Voltage, VGS (V)
12
Drain
Current,
I
D
(
m
A)
2
4
6
10
ID - VGS
3.0
mA
1.0
mA
-1.75
-2.00
-1.25
-0.50 -0.25
0
-0.75
-1.00
-1.50
8
IDS
S
=9
.0m
A
5.0
mA
0
Gate-to-Source Voltage, VGS (V)
5
Drain
Current,
I
D
(mA)
1
2
3
4
VDS =10V
ID - VGS
75
℃
-1.0
-1.2
-0.8
-0.6
-0.2
0
-0.4
25
℃
Ta
=
-2
5℃
VDS =10V
2
Saturation Drain Current, IDSS (mA)
5
Cut
of
fVol
tage,
V
GS(of
f)
(V
)
5
7
-1.0
3
VGS(off) - IDSS
1.0
5
25
10
2
ID = 1.0μA
VDS = 10V
2
3
7
37
2
Drain Current, ID (mA)
2
For
w
ar
dTr
ansf
er
Admi
tt
ance,
|yf
s|
(
m
S)
7
2
10
| yfs | - ID
3
0.1
5
10
2
f = 1kHz
VDS = 10V
5
3
2
77
1.0
3
23
5.0m
A
3.0
mA
9.0m
A
IDS
S =
1.0
mA
7
3
1.0
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK303 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
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