參數(shù)資料
型號： 2SK304D
英文描述： Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述： 晶體管|場效應| N溝道| 30V的五（巴西）直| 1.2MA我（直）| SPAK
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 54K
代理商： 2SK304D
2SK3070(L),2SK3070(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-684G (Z)
8th. Edition
February 1999
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 4.5 m typ.
Low drive current
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關PDF資料
PDF描述
2SK304E TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2.5MA I(DSS) | SPAK
2SK304F Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3056-Z TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-263AB
2SK3058-Z Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3060 2SK3060 Data Sheet | Data Sheet[04/2001]
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2SK3050_1 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:10V Drive Nch MOS FET
2SK3050TL 功能描述:MOSFET POWER MOSFET SURF MOUNT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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