參數(shù)資料
型號： 2SK3162
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 2SK3162
2SK3162
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0.1 0.2
1
2
10
20
di / dt = 50 A / μs
V = 0, Ta = 25°C
10
20
50
V = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
I = 20 A
V
GS
V
DS
V = 150 V
100 V
50 V
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
V = 10 V, V = 30 V
PW = 5 μs, duty < 1%
V = 150 V
100 V
50 V
50
500
0.5
5
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