參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3175A
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier
中文描述： 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管超高頻功率放大器
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 79K
代理商： 2SK3175A
2SK3175A
Silicon N Channel MOS FET
UHF Power Amplifier
ADE-208-1452 (Z)
1st. Edition
September 2001
Features
High power output, High gain, High efficiency
P
1dB
= 110 W, PG = 16.0 dB,
η
D = 60 % (at P
1dB
) typ. (f = 860MHz)
Compact package
Outline
RFPAK-G
1
3
2
1. Drain
2. Source
3. Gate
D
G
S
This Device is sensitive to Electro Static Discharge. An Adequate handling procedure is requested.
In AC testing , the part should be mounted on heat sink with thermal compound.
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PDF描述
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2SK3176(F) 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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