參數(shù)資料
型號： 2SK3175A
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier
中文描述： 硅?通道場效應(yīng)晶體管超高頻功率放大器
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： 2SK3175A
2SK3175A
Rev.0, Aug. 2001, page 5 of 8
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0
7
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1
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6
Output Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
1
2
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10
20
50
100
10
100
50
500
1000
V = 28 V
I = 0.6 A
f = 860 MHz
160
120
80
40
0
0
80
60
40
20
0
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
200
20
50
I = 0.6 A
f = 860 MHz
VDS
V = 0
f = 1 MHz
V = 0
f = 1 MHz
O
Drain to Source Voltage V (V)
Reverse Transfer Capacitance vs.
Drain to Gate Voltage
Drain to Gate Voltege V (V)
R
Output Power Pout (W)
D
η
D
D
η
D
Drain Rational vs. Output Power
Input power Pin (W)
Output Power, Drain Rational
vs. Input Power
O
Pout
η
D
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PDF描述
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