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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3274(S) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | 2SK3274(S) |
2SK3210(L),2SK3210(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
150
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
30
A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
120
A
Body-drain diode reverse drain current
I
DR
30
A
Avalanche current
I
AP*
3
30
A
Avalanche energy
E
AR*
3
67
mJ
Channel dissipation
Pch*
2
100
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. PW
≤ 10s, duty cycle ≤ 1 %
2. Value at Tc = 25
°C
3. Value at Tch = 25
°C, Rg ≥ 50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3418-E | 85 A, 60 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3451-01 | High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof |
| 2SK3461(L) | |
| 2SK3461(S) | |
| 2SK3501-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3277 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:パワーデバイス － パワーMOS FET |
| 2SK327700L | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3278 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications |
| 2SK3279 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC ?R???o?[?^?p |
| 2SK3279TP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251VAR |
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