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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3274(S) |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | 2SK3274(S) |
2SK3210(L),2SK3210(S)
5
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value)
LDPAK (S)-(1)
—
1.3 g
10.2
± 0.3
1.27
± 0.2
(1.5)
(1.4)
8.6
±0.3
10.0
+
0.3
–
0.5
4.44
± 0.2
1.3
± 0.15
0.1
+ 0.2
– 0.1
0.4
± 0.1
0.86
+ 0.2
– 0.1
2.54
± 0.5
2.54
± 0.5
1.2
± 0.2
3.0
+
0.3
–
0.5
(1.5)
7.8
6.6
2.2
1.7
7.8
7.0
As of January, 2001
Unit: mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3418-E | 85 A, 60 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3451-01 | High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof |
| 2SK3461(L) | |
| 2SK3461(S) | |
| 2SK3501-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3277 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:パワーデバイス － パワーMOS FET |
| 2SK327700L | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3278 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications |
| 2SK3279 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC ?R???o?[?^?p |
| 2SK3279TP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251VAR |
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