參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3274L-E
元件分類： JFETs
英文描述： 30 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大小： 140K
代理商： 2SK3274L-E
2SK3274 (L), 2SK3274 (S)
Rev.3.00 May 15, 2006 page 4 of 8
0.10
0.02
0.04
0.06
0.08
–40
0
40
80
120
160
0
0.1
0.3
3
10
30
100
50
20
10
2
1
5
0.5
1
25°C
Tc = –25°C
75°C
5 A, 10 A, 20 A
ID = 5 A, 10 A, 20 A
Drain Current
ID (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
Forward
Transfer
Admittance
|y
fs
|
(S)
VDS = 10 V
Pulse Test
Case Temperature
Tc (°C)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS(on)
(
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
Pulse Test
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1000
200
500
100
20
50
10
0
10203040
50
5000
2000
100
200
500
1000
50
40
30
20
10
0
20
816
24
32
40
0
4
8
16
12
1000
100
300
1
3
10
30
0.1
0.3
1
3
10
30
100
20
50
10
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
ID = 30 A
VDS
VGS
VDD = 20 V
10 V
5 V
di / dt = 50 A /
s
VGS = 0, Ta = 25°C
tr
td(on)
td(off)
tf
Reverse Drain Current
IDR (A)
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(ns)
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Capacitance
C
(pF)
Drain to Source Voltage
VDS (V)
Switching
Time
t
(ns)
Drain Current
ID (A)
Switching Characteristics
Gate Charge
Qg (nC)
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
Dynamic Input Characteristics
Gate
to
Source
Voltage
V
GS
(V)
VDD = 20 V
10 V
5 V
10 V
VGS = 4.5 V
VGS = 10 V, VDD = 30 V
PW = 5
s, duty ≤ 1 %
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PDF描述
2SK3274S 30 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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