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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3296-S |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | MOS場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 422K |
| 代理商： | 2SK3296-S |
Data Sheet D14063EJ2V0DS
4
2SK3296
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
25
I
D
= 18 A
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature -
C
R
D
0
50
5
0
50
100
150
10
20
15
7.0 V
10 V
V
GS
= 4.5 V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1.2
1.4
1
I
S
0
1.6
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
0.6
0.8
0.4
0.2
Pulsed
0.1
0.01
1
10
100
1000
0 V
4.5 V
V
GS
= 10 V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
0.1
100
1000
10000
1
10
100
V
= 0 V
f = 1 MHz
C
oss
C
rss
C
iss
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
10
5
0.1
1
100
10000
1000
10
100
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
SD
- Diode Forward Current - A
t
r
di/dt = 100 A/ s
V
GS
= 0 V
1
0.1
10
1
10
100
1000
100
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
00
10
20
30
40
10
5
15
20
4
0
8
V
DD
= 16 V
10 V
4 V
V
DS
16
12
I
D
= 35 A
V
GS
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