參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3306B-S17-AY
元件分類： JFETs
英文描述： 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, ISOLATED TO-220, MP-45F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 181K
代理商： 2SK3306B-S17-AY
Data Sheet D18462EJ1V0DS
5
2SK3306B
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
R
DS
(on)
-Drain
to
Sou
rc
eOn-s
tate
Re
sis
tance
-
Ω
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
-50
0
50
100
150
ID = 5.0 A
2.5 A
VGS = 10 V
Pulsed
Tch - Channel Temperature -
°C
IF
–
Diode
F
o
rward
Current
-
A
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Pulsed
0 V
VGS = 10 V
VF(S-D) – Source to Drain Voltage - V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
C
is
s,
C
os
s,
C
rs
s
-Cap
acitance
-
pF
0.1
1
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
1000
VGS = 0 V
f = 1MHz
Crss
Ciss
Coss
VDS - Drain to Source Voltage – V
t
d(on)
,t
r,
t
d(
of
f),
t
f-
S
w
itching
Time
-
n
s
1
10
100
1000
0.1
1
10
VDD = 150 V
VGS = 10 V
RG = 10
Ω
td(off)
tf
tr
td(on)
ID - Drain Current - A
REVWESE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
rr–
R
evers
e
Rec
overy
Ti
me
-n
s
10
100
1000
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
μs
VGS = 0 V
IF – Diode Forward Current - A
V
DS
–
Dr
ai
nt
oSou
rce
V
oltage
-
V
0
100
200
300
400
500
600
0
5
10
15
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS
VGS
VDD = 400 V
250 V
125 V
ID = 5.0 A
QG – Gate Chage - nC
V
GS
–
Gate
t
oS
ou
rce
Voltage
-
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3306 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3310 10 A, 450 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3320-BL 14 mA, 50 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK3320 14 mA, 50 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
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