參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3391
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管超高頻功率放大器
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： 2SK3391
Rev.2.00, Apr.14.2004, page 1 of 4
2SK3391
Silicon N-Channel MOS FET
UHF Power Amplifier
REJ03G0209-0200Z
(Previous ADE-208-847 (Z))
Rev.2.00
Apr.14.2004
Features
High power output, High gain, High efficiency
PG = 18 dB, Pout = 1.6 W,
η
add = 58% min. (f = 836 MHz)
Compact package capable of surface mounting
Outline
UPAK
D
G
S
1
2,4
3
3
1. Gate
2. Source
3. Drain
4. Source
2
1
4
Note:
Marking is “JX“.
This Device is sensitive to Electro Static Discharge. An Adequate handling procedure is requested.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Channel dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
<
1sec, Tch
<
150°C
2. Value at Tc = 25
°
C
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
Pch
Note2
Tch
Tstg
Ratings
17
±10
0.3
0.75
5
150
–45 to +150
Unit
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Note1
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PDF描述
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