參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3511
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 83 A, 75 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： MP-25, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 85K
代理商： 2SK3511
Data Sheet D15617EJ1V0DS
7
2SK3511
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-220 (MP-25)
2) TO-262 (MP-25 Fin Cut)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0 TYP.
3.6±0.2
4
3.0±0.3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
5.9
MIN.
6.0
MAX.
15.5
MAX.
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
φ
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
10 TYP.
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
8.5±
0.2
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1.0±0
.5
4
3) TO-263 (MP-25ZJ)
4) TO-220SMD (MP-25Z)
Note
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
5.7±0.4
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
10 TYP.
0.5R
TYP.
0.8R
TYP.
2.8±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
10 TYP.
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
3.0±0.5
1.1±0.4
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
0.5R
TYP.
0.8R
TYP.
0.75±0.3
2.8±0.2
Note This Package is only produced in Japan.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD.
When this device actually
used, an additional protection circuit is externally required if a
voltage exceeding the rated voltage may be applied to this device.
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PDF描述
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2SK3512-01LSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3513-01LSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3514-01SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
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