參數(shù)資料
型號： 2SK3562
元件分類： JFETs
英文描述： 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 207K
代理商： 2SK3562
2SK3562
2010-01-29
3
DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS
(V)
ID – VDS
DRAIN
CU
RREN
T
I
D
(A)
8
6
4
2
0
10
0
10
20
50
VGS = 4 V
4.6
4.8
10,15
5
5.2
30
40
4.4
4.2
COMMON SOURCE
Tc
= 25°C
PULSE TEST
DRAIN CURRENT ID (A)
RDS (ON) – ID
DRAIN-S
OUR
C
E
ON-
RESIST
A
NCE
R
DS
(
O
N
)
(
m
Ω
)
DRAIN CURRENT ID (A)
Yfs – ID
FO
R
W
ARD
TRA
N
SFER
ADMITT
ANCE
Y
fs
(S)
DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS
(V)
ID – VDS
DRAIN
CU
RREN
T
I
D
(A)
5
4
2
1
0
2
4
6
8
VGS = 4 V
4.2
4.4
4.6
5
6
4.8
15
10
3
10
COMMON
SOURCE
Tc
= 25°C
PULSE TEST
GATE-SOURCE VOLTAGE VGS
(V)
ID – VGS
DRAIN
CU
RREN
T
I
D
(A)
DRAIN-S
O
U
RCE
VO
LT
AG
E
V
DS
(V)
GATE-SOURCE VOLTAGE VGS
(V)
VDS – VGS
0
4
6
8
10
0
ID = 6 A
4
8
12
16
20
1.5
3
2
COMMON SOURCE
Tc
= 25℃
PULSE TEST
COMMON SOURCE
Tc
= 25°C
PULSE TEST
0.1
1
10
1
10
VGS = 10 V15V
COMMON SOURCE
VDS = 20 V
PULSE TEST
0
2
4
6
8
10
2
10
Tc
= 55°C
25
100
4
6
8
COMMON SOURCE
VDS = 20 V
PULSE TEST
10
0.1
10
100
0.1
1
25
100
Tc
= 55°C
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3568 12 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3570-ZK 48 A, 20 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
2SK3570-S 48 A, 20 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3570-Z 48 A, 20 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3572-ZK 80 A, 20 V, 0.0099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3562(Q) 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK3562(S4TETV,X,M 制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR
2SK3562(STA4,Q) 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 600V 6A 1.25@10V TO220SIS Bulk
2SK3562(STA4,Q,M) 制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR
2SK3562(STA4,X,S) 制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR
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