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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3650-01SJ |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 33 A, 150 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 255K |
| 代理商： | 2SK3650-01SJ |
2
Characteristics
2SK3650-01L,S,SJ
FUJI POWER MOSFET
ID=f(VGS):80s Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
ID=f(VDS):80s Pulse test,Tch=25°C
gfs=f(ID):80s Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
RDS(on)=f(ID):80s Pulse test, Tch=25°C
012
3456
0
10
20
30
40
50
20V
7.0V
10V
8V
6.5V
7.5V
6.0V
ID
[A]
VDS [V]
Typical Output Characteristics
VGS=5.5V
01
23
4
5678
9
10
0.1
1
10
100
ID
[A]
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
gfs
[S]
ID [A]
Typical Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
7.0V
6.5V
RDS
(o
n
)[
]
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
10V
20V
8V
7.5V
6.0V
VGS=
5.5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
RDS
(o
n
)[
m
]
Tch [
°C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=11.5A,VGS=10V
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
D
[W
]
Tc [
°C]
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PDF描述 |
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