參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3664
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 139K
代理商： 2SK3664
Data Sheet D16599EJ2V0DS
2
2SK3664
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
1.0
μ
A
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
=
±
12 V, V
DS
= 0 V
±
10
μ
A
Gate Cut-off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 10 V, I
D
= 1.0 mA
0.5
1.0
1.5
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y
fs
|
V
DS
= 10 V, I
D
= 0.3 A
0.25
0.75
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
R
DS(on)1
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 0.3 A
0.38
0.57
R
DS(on)2
V
GS
= 4.0 V, I
D
= 0.3 A
0.41
0.60
R
DS(on)3
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 0.15 A
0.60
0.88
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 10 V
28
pF
Output Capacitance
C
oss
V
GS
= 0 V
11
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
f = 1 MHz
7.0
pF
Turn-on Delay Time
t
d(on)
V
DD
= 10 V, I
D
= 0.30 A
20
ns
Rise Time
t
r
V
GS
= 4.0 V
51
ns
Turn-off Delay Time
t
d(off)
R
G
= 10
94
ns
Fall Time
t
f
87
ns
Body Diode Forward Voltage
Note
V
F(S-D)
I
F
= 0.5 A, V
GS
= 0 V
0.87
V
Note
Pulsed
TEST CIRCUIT SWITCHING TIME
PG.
R
G
0
V
GS
D.U.T.
R
L
V
DD
τ
= 1 s
Duty Cycle
≤
1%
τ
GS
Wave Form
V
DS
Wave Form
V
GS
V
DS
10%
0
0
90%
90%
90%
V
GS
V
DS
t
on
t
off
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
10%
10%
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PDF描述
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2SK3666-3-TB-E 功能描述:JFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2SK3666-4-TB-E 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2SK3667 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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