參數(shù)資料
型號： 2SK3664
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： N溝道MOS場效應(yīng)晶體管開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： 2SK3664
Data Sheet D16599EJ2V0DS
3
2SK3664
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
240
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
P
T
30
0
60
90
120
150
200
160
120
80
40
180
210
Mounted on ceramic substrate
of 3.0 cm
2
x 0.64 mm
T
A
- Ambient Temperature -
°
C
I
D
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
Pulsed
2.5 V
V
GS
= 4.5 V
4.0 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
I
D
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
A
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
G
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
0
50
100
150
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.0 mA
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
|
f
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
T
A
=
25
°
C
25
°
C
75
°
C
125
°
C
V
DS
= 10 V
Pulsed
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.01
0.1
1
10
V
GS
= 4.5 V
Pulsed
T
A
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
I
D
- Drain Current - A
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PDF描述
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2SK3666-3-TB-E 功能描述:JFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2SK3666-4-TB-E 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2SK3667 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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