參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3666-3
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝： CP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 26K
代理商： 2SK3666-3
2SK3666
No.8158-3/4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
40
80
200
120
160
240
Ambient Temperature, Ta --
°C
PD -- Ta
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
--
mW
ITR00646
VGS=0V
f=1MHz
1.0
23
5
7
10
23
5
7
1.0
2
7
5
3
5
3
10
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss -- VDS
Input
Capacitance,
Ciss
--
pF
ITR00641
VGS=0V
f=1MHz
1.0
23
5
7
10
23
5
7
1.0
2
7
5
3
7
5
3
10
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Crss -- VDS
Output
Capacitance,
Crss
--
pF
ITR00642
G
S
D
ID
IGDL
DC
I DSS
=1.0mA
5.0mA
3.0mA
Cutof
fV
oltage,
V
GS
(of
f)
--
V
ITR00637
VGS(off) -- IDSS
Drain Current, IDSS -- mA
57
1.0
23
5
7
10
2
7
--1.0
5
3
5
3
2
VDS=10V
ID=1.0A
ITR00638
Drain Current, ID -- mA
VDS=10V
f=1kHz
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
mS
0.1
5
3
2
7
5
3
2
1.0
3
2
7
10
5
3
2
1.0
7
10
7
5
3
2
yfs -- ID
ITR00639
Drain Current, IDSS -- mA
VDS=10V
VGS=0V
f=1kHz
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
mS
5
3
2
7
5
1.0
2
7
10
5
3
2
3
2
10
1.0
7
yfs -- IDSS
0
5
10
15
20
25
1p
5
3
10p
100p
10n
1n
100n
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IGDL -- VDS
Gate-to-Drain
Leak
Current,
I
GDL
--
A
ITR00640
ID=1mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3666-2 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK3832 30 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3834 60 A, 100 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3882-01 100 A, 150 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AA
2SK3983-01SJ 2.6 A, 900 V, 6.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3666-3-TB-E 功能描述:JFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2SK3666-4-TB-E 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2SK3667 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK3667(Q) 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK3667(Q,M) 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*